2015年国家技术发明奖一等奖：硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管

1月8日上午 ，2015年度国家科学技术奖励大会在人民大会堂隆重举行，南昌大学江风益团队的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目荣获国家技术发明一等奖。江风益教授作为项目第一完成人上台接受习近平主席的颁奖。

“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目获奖团队成员包括江风益（南昌大学）、刘军林（南昌大学）、王立（南昌大学）、孙钱（晶能光电）、熊传兵（南昌大学）、王敏（中节能晶和照明）等六人。该奖项的获得，实现了江西省在“国家技术发明奖”这项大奖中一等奖“零”的突破，也是地方综合性高校的一个殊荣。

1996年，经过三年时间的技术跟踪，江风益决定带领团队转向自主核心技术的研发，在一个欠发达省份的地方高校中，拉开了从事GaN蓝光LED研究、自主创造光明“中国芯”的序幕。历经19年的科研攻关，在LED照明技术上取得突破性成果，成功研发出硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管，并在市场应用上取得明显经济效益和社会效益，走出了一条“硅基发光，中国创造”的新路线。

世界上第一支LED诞生于1962年，正式作为照明光源，是日本在1993年取得的突破，这项蓝宝石衬底GaN基蓝光LED技术获得2014年诺贝尔奖。1995年，美国成功研发碳化硅衬底GaN基蓝光LED技术，获得2003年美国总统技术发明奖。而南昌大学硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管的诞生，使中国成为世界上继日美之后第三个掌握蓝光LED自主知识产权技术的国家。“中国芯”与日美技术形成全球三足鼎力之势，打破了日本蓝宝石衬底、美国碳化硅衬底长期垄断国际LED照明核心技术的局面，中国为之骄傲，世界为之震动。

在相同照明效果下，半导体照明（LED）比传统光源节能40%—90％，寿命比传统光源长10倍以上，具有较强的节能效益和经济效益。据行业人士介绍，我国半导体照明产业市场规模预计2020年达1.2万亿元。“十三五”期间,江西省将以这项发光技术为核心，重点建设“南昌光谷”，致力打造千亿LED产业。